重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片

重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片

据重庆日报报道，目前，重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片。

重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义透露，「目前，实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，这也是重庆市功率半导体、汽车电子产业发展的新兴方向。」

据悉，第三代半导体功率芯片主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面，具备体积小、效率高、用电量少等特点。

「这款功率半导体芯片电量能节省10％以上，面积是硅芯片的1／5左右，开关速度提升10倍以上。」黄义透露，目前该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。

来自OFweek维科号